Aluminum Clad Resistor ທີ່ບໍ່ແມ່ນ inductive

DUFEW Non-inductive Aluminum Clad Resistor ຖືກອອກແບບມາເປັນພິເສດສໍາລັບວົງຈອນສະຫຼັບຄວາມໄວສູງ, ລະບົບພະລັງງານກໍາມະຈອນ, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ inverter, ແລະອຸປະກອນເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມແມ່ນຍໍາທີ່ຕົວຕ້ານທານ wirewound ທໍາມະດາອາດຈະທົນທຸກຈາກຜົນກະທົບ inductance parasitic.

ບໍ່ເຫມືອນກັບຕົວຕ້ານທານພະລັງງານມາດຕະຖານທີ່ສ້າງປະຕິກິລິຍາ inductive ເພີ່ມເຕີມໃນລະຫວ່າງການປ່ຽນແປງໃນປະຈຸບັນຢ່າງໄວວາ, DUFEW ນໍາໃຊ້ໂຄງສ້າງ winding bifilar Ayrton-Perry ຂັ້ນສູງເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການເຊື່ອມສະຫນາມແມ່ເຫຼັກແລະບັນລຸປະສິດທິພາບ inductance ຕ່ໍາສຸດ.

ໂດຍການປັບປຸງການຕອບສະຫນອງໃນປະຈຸບັນແລະການຫຼຸດຜ່ອນການລົບກວນການສະຫຼັບ, ຕົວຕ້ານທານນີ້ຊ່ວຍປົກປ້ອງອົງປະກອບພະລັງງານທີ່ລະອຽດອ່ອນ, ປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຮູບຄື້ນ, ແລະເພີ່ມຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ.

ສາມາດໃຊ້ໄດ້ຈາກ 50W ຫາ 6KW, ມີມູນຄ່າຄວາມຕ້ານທານຈາກ 0.01Ω ເຖິງ 120kΩ, DUFEW ສະຫນອງການແກ້ໄຂການຕໍ່ຕ້ານ inductance ຕ່ໍາທີ່ກໍາຫນົດເອງສໍາລັບຜູ້ຜະລິດເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ຜູ້ສະຫນອງ inverter, ບໍລິສັດອັດຕະໂນມັດ, ແລະຜູ້ກໍ່ສ້າງອຸປະກອນອຸດສາຫະກໍາ.

ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບການຕອບສະຫນອງໄຟຟ້າຄວາມໄວສູງ

ໃນເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານທີ່ທັນສະໄຫມ, ຄວາມຖີ່ຂອງການສະຫຼັບສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນໃນຂະນະທີ່ອົງປະກອບກາຍເປັນຄວາມອ່ອນໄຫວຕໍ່ກັບສິ່ງລົບກວນໄຟຟ້າແລະການເຫນັງຕີງຂອງແຮງດັນ.

ຕົວຕ້ານທານແບບດັ້ງເດີມອາດຈະແນະນໍາ inductance ທີ່ບໍ່ຕ້ອງການໃນລະຫວ່າງການຫັນປ່ຽນຢ່າງໄວວາ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດ:

- ການ overshoot ແຮງດັນ

- ການ​ບິດ​ເບືອນ​ຮູບ​ແບບ​ຄື້ນ​ໃນ​ປະ​ຈຸ​ບັນ​

- ການແຊກແຊງ EMI

- ຄວາມກົດດັນຂອງ semiconductor

- ຄວບ​ຄຸມ​ຄວາມ​ບໍ່​ຫມັ້ນ​ຄົງ​ຂອງ​ລະ​ບົບ​

DUFEW Non-inductive Aluminum Clad Resistor ໄດ້ຖືກພັດທະນາເພື່ອຮັກສາປະສິດທິພາບໄຟຟ້າທີ່ຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂໃນປະຈຸບັນທີ່ມີການປ່ຽນແປງໄວ.

Power Derating Curve

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກ

ເທກໂນໂລຍີ Low-Inductance ຂັ້ນສູງ

Ayrton-Perry Bifilar ຫຼັກການ Winding

ໂຄງປະກອບການ winding ພາຍໃນແມ່ນປັດໃຈສໍາຄັນທີ່ແຕກຕ່າງ resistors inductance ຕ່ໍາຈາກການອອກແບບ wirewound ທໍາມະດາ. DUFEW ຮັບຮອງເອົາຫຼັກການ Ayrton-Perry bifilar winding, ນໍາໃຊ້ສາຍຕ້ານທານສອງບາດແຜໃນທິດທາງກົງກັນຂ້າມເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນພາກສະຫນາມແມ່ເຫຼັກທີ່ສ້າງຂຶ້ນໃນລະຫວ່າງການໄຫຼໃນປະຈຸບັນ.

ໂດຍການອະນຸຍາດໃຫ້ພາກສະຫນາມແມ່ເຫຼັກຂອງສອງ windings ຍົກເລີກບາງສ່ວນເຊິ່ງກັນແລະກັນ, ໂຄງປະກອບການນີ້ຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ flux ຂອງແມ່ເຫຼັກສຸດທິແລະຫຼຸດຜ່ອນການ inductance parasitic, ເຮັດໃຫ້ການຕອບສະຫນອງໄຟຟ້າໄວຂຶ້ນແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກສະຫຼັບຄວາມໄວສູງ.

ເຫມາະສໍາລັບ Pulse ແລະ Switching Applications

ລະບົບການສະຫຼັບຄວາມຖີ່ສູງມັກຈະປະສົບກັບການປ່ຽນແປງຢ່າງໄວວາ, ບ່ອນທີ່ inductance parasitic ສາມາດສ້າງແຮງດັນໄຟຟ້າທີ່ບໍ່ຕ້ອງການແລະສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງວົງຈອນ. DUFEW ຕົວຕ້ານທານຕໍ່າ inductance ຖືກອອກແບບມາເພື່ອຈັດການກັບພະລັງງານຊົ່ວຄາວຢ່າງມີປະສິດທິພາບ, ສະກັດກັ້ນການປ່ຽນຈຸດສູງສຸດ, ປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຮູບຊົງຂອງຄື້ນ, ແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມກົດດັນຕໍ່ອົງປະກອບ semiconductor ທີ່ລະອຽດອ່ອນ.

ພວກເຂົາເຈົ້າແມ່ນເຫມາະສົມໂດຍສະເພາະສໍາລັບ:

- IGBT ວົງຈອນ inverter

- ລະບົບສະຫຼັບ MOSFET

- PWM converters ພະ​ລັງ​ງານ​

- ການໂຫຼດເອເລັກໂຕຣນິກຄວາມຖີ່ສູງ

ການປະຕິບັດທີ່ເນັ້ນໃສ່ແອັບພລິເຄຊັນ

1. Inverter ແລະ Motor Drive Protection

ໃນ​ລະ​ຫວ່າງ​ການ regenerative ຫຼື​ການ​ເຄື່ອນ​ໄຫວ​ຫ້າມ​ລໍ້​, ພະ​ລັງ​ງານ​ສ່ວນ​ເກີນ​ຕ້ອງ​ໄດ້​ຮັບ​ການ​ປົດ​ປ່ອຍ​ຢ່າງ​ວ່ອງ​ໄວ​ເພື່ອ​ຮັກ​ສາ​ຄວາມ​ຫມັ້ນ​ຄົງ​ຂອງ​ລະ​ບົບ​. ໂຄງສ້າງ inductance ຕ່ໍາປັບປຸງການຕອບສະຫນອງຂອງເບກ, ຫຼຸດຜ່ອນການລົບກວນການສະຫຼັບ, ແລະຊ່ວຍປົກປ້ອງໂມດູນພະລັງງານ inverter ຈາກຄວາມກົດດັນໄຟຟ້າຊົ່ວຄາວ.

2. Switching Power Supply Stabilization

ໃນລະບົບການສະຫນອງພະລັງງານຄວາມຖີ່ສູງ, inductance parasitic ສາມາດສົ່ງຜົນກະທົບຕໍ່ການປ່ຽນ waveforms ແລະປະສິດທິພາບໂດຍລວມ. DUFEW ຕົວຕ້ານທານ inductance ຕ່ໍາສະຫນອງລັກສະນະການຕອບສະຫນອງໄວສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກເຊັ່ນ: ວົງຈອນ snubber, ວົງຈອນຈໍາກັດໃນປະຈຸບັນ, ແລະວົງຈອນການດູດຊຶມກໍາມະຈອນ.

3. ການວັດແທກ ແລະ ການທົດສອບຄວາມຊັດເຈນ

ສໍາລັບລະບົບການທົດສອບເອເລັກໂຕຣນິກ, ຄຸນລັກສະນະການຕອບສະຫນອງຂອງອົງປະກອບການຕໍ່ຕ້ານມີອິດທິພົນໂດຍກົງຕໍ່ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການວັດແທກ. ການອອກແບບ inductance ຕ່ໍາທີ່ດີທີ່ສຸດຊ່ວຍໃຫ້ບັນລຸການຕອບສະຫນອງຂອງກໍາມະຈອນທີ່ຖືກຕ້ອງຫຼາຍ, ຫຼຸດຜ່ອນການບິດເບືອນຂອງສັນຍານ, ແລະປັບປຸງການເຮັດຊ້ໍາການທົດສອບ.

ການອອກແບບກໍ່ສ້າງພາຍໃນ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ການປຽບທຽບປະສິດທິພາບ

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ແນະນໍາ

ຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ກໍາຫນົດເອງ

DUFEW ສະຫນັບສະຫນູນການພັດທະນາຕົວຕ້ານທານທີ່ບໍ່ແມ່ນ inductive ຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ.

ການປັບແຕ່ງທີ່ມີຢູ່:

FAQ

Q1: ເປັນຫຍັງຕົວຕ້ານທານທີ່ບໍ່ແມ່ນ inductive ຈຶ່ງຈໍາເປັນໃນວົງຈອນຄວາມຖີ່ສູງ?

ເນື່ອງຈາກວ່າການປ່ຽນແປງໃນປະຈຸບັນຢ່າງໄວວາສາມາດສ້າງຕົວນໍາແມ່ກາຝາກໃນຕົວຕ້ານທານແບບທໍາມະດາ, ເຊິ່ງກໍ່ໃຫ້ເກີດແຮງດັນໄຟຟ້າແລະສຽງໄຟຟ້າ. ຕົວຕ້ານທານທີ່ບໍ່ແມ່ນ inductive ຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບເຫຼົ່ານີ້ແລະປັບປຸງຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງວົງຈອນ.

Q2: ສິ່ງທີ່ເຮັດໃຫ້ DUFEW ຕົວຕ້ານທານທີ່ບໍ່ແມ່ນ inductive ແຕກຕ່າງຈາກຕົວຕ້ານທານແຜ່ນອາລູມິນຽມມາດຕະຖານ?

ຄວາມແຕກຕ່າງຕົ້ນຕໍແມ່ນເຕັກໂນໂລຢີຂອງ winding ພາຍໃນ. DUFEW ໃຊ້ Ayrton-Perry bifilar winding ເພື່ອຫຼຸດຜ່ອນການໂຕ້ຕອບພາກສະຫນາມແມ່ເຫຼັກ, ໃນຂະນະທີ່ resistors ມາດຕະຖານປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ winding ທິດທາງດຽວທໍາມະດາ.

Q3: ຕົວຕ້ານທານທີ່ບໍ່ແມ່ນ inductive ເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ inverter ບໍ?

ແມ່ນແລ້ວ. ພວກມັນຖືກນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປໃນວົງຈອນເບກ inverter, ວົງຈອນການດູດຊຶມຂອງກໍາມະຈອນ, ແລະລະບົບເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານຮຽກຮ້ອງໃຫ້ມີການຕອບສະຫນອງໄວ.

Q4: DUFEW ສາມາດປັບຕົວຕ້ານທານຕ່ໍາ inductance ໄດ້ບໍ?

ແມ່ນແລ້ວ. DUFEW ສະຫນອງການປັບແຕ່ງ OEM ສໍາລັບມູນຄ່າຄວາມຕ້ານທານ, ການຈັດອັນດັບພະລັງງານ, ຂະຫນາດກົນຈັກ, terminals, ແລະຄວາມຕ້ອງການຕ່ໍາ inductance.